กลุ่มผู้ผลิตชิปวอนทำเนียบขาวเลี่ยงแทรกแซงกลไกตลาดหน่วยความจำ
สมาคมอุตสาหกรรมชิปได้ออกมาเรียกร้องให้ทำเนียบขาวหลีกเลี่ยงการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในแนวทางการกำกับดูแลตลาดชิปหน่วยความจำ
กลุ่มดังกล่าวคือ SEMI ซึ่งเป็นตัวแทนของบริษัทผู้ผลิตอุปกรณ์และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่ส่วนใหญ่ของโลก รวมถึงบริษัทผู้ผลิตชิปด้วย โดยสำนักข่าว Bloomberg ได้รายงานเมื่อช่วงค่ำวันพฤหัสบดีที่ผ่านมาว่า ทางสมาคมได้แสดงความกังวลเกี่ยวกับสถานการณ์ตลาดหน่วยความจำผ่านจดหมายที่ส่งถึงรัฐบาลภายใต้การนำของประธานาธิบดี Donald Trump ซึ่งเอกสารดังกล่าวถูกส่งตรงถึง Scott Bessent รัฐมนตรีว่าการกระทรวงการคลัง, Pete Hegseth รัฐมนตรีว่าการกระทรวงกลาโหม, Howard Lutnick รัฐมนตรีว่าการกระทรวงพาณิชย์ และ Marco Rubio รัฐมนตรีว่าการกระทรวงการต่างประเทศ
ราคาของชิปหน่วยความจำปรับตัวสูงขึ้นอย่างรุนแรงในช่วงปีที่ผ่านมา เนื่องจากความต้องการที่พุ่งทะยานจากกลุ่มผู้สร้างศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ ซึ่งราคาที่สูงขึ้นนี้ไม่เพียงแต่ส่งผลกระทบต่อตลาดเซิร์ฟเวอร์เท่านั้น แต่ยังลามไปถึงภาคส่วนอื่น ๆ ด้วย โดยเมื่อเดือนธันวาคมที่ผ่านมา S&P Global คาดการณ์ว่าราคาชิป DRAM สำหรับยานยนต์อาจจะพุ่งสูงขึ้นถึง 100% ภายในสิ้นปี 2027 และเมื่อเร็ว ๆ นี้ Apple ก็ได้ปรับขึ้นราคาอุปกรณ์หลายรุ่นไปแล้วเช่นกัน
ในจดหมายดังกล่าว SEMI ได้กระตุ้นให้ทำเนียบขาวหลีกเลี่ยง “มาตรการแทรกแซงใด ๆ ที่บิดเบือนกลไกราคาหรือการตัดสินใจด้านกำลังการผลิต” ของตลาดหน่วยความจำ โดยทางกลุ่มแย้งว่าการดำเนินการในลักษณะดังกล่าวจะสร้างความเสียหายต่อภาพรวมของตลาด พร้อมทั้งระบุว่าเจ้าหน้าที่รัฐควรเลือกใช้มาตรการอื่น ๆ ที่เฉพาะเจาะจงและแคบกว่าในการเข้ามาจัดการกับปัญหาภาวะอุปทานขาดแคลน
ทางสมาคมได้เรียกร้องให้ทำเนียบขาวผลักดันมาตรการลดหย่อนภาษีหรือให้เครดิตภาษีที่จะช่วยลดภาระราคาของสินค้ากลุ่มอิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค นอกจากนี้ SEMI ยังสนับสนุนการทำสัญญาจัดซื้อระยะยาวที่บางบริษัทเลือกใช้ในการจัดหาชิปหน่วยความจำ ทั้งนี้ สมาคมมีสมาชิกที่เป็นกลุ่มผู้จัดหาชิป DRAM รายใหญ่ที่สุดสามอันดับแรกของโลก ได้แก่ Micron, SK hynix และ Samsung Electronics ร่วมอยู่ด้วย
ความต้องการส่วนใหญ่จากกลุ่มผู้สร้างศูนย์ข้อมูลจะมุ่งเน้นไปที่ชิป DRAM ประเภทเฉพาะที่รู้จักกันในชื่อ หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (High-Bandwidth Memory หรือ HBM) ซึ่งอ้างอิงโครงสร้างสถาปัตยกรรมวงจรแบบเดียวกับหน่วยความจำมาตรฐาน แต่มีความแตกต่างในด้านอื่น ๆ โดยในขณะที่โมดูล DRAM ทั่วไปจะเป็นชิปเดี่ยว แต่อุปกรณ์ HBM จะประกอบขึ้นจากชิป DRAM มากได้ถึงหนึ่งโหลที่นำมาวางซ้อนกันเป็นชั้น ๆ และชิปเหล่านี้จะถูกจัดวางอยู่บนฐานรากที่เรียกว่า logic die ซึ่งทำหน้าที่ช่วยปรับแต่งการไหลของข้อมูลให้มีประสิทธิภาพสูงสุด
โมดูล HBM มีความสามารถในการเคลื่อนย้ายข้อมูลเข้าและออกจากชิปประมวลผลที่เชื่อมต่ออยู่ได้เร็วกว่าชิป DRAM มาตรฐานอย่างมาก ทำให้เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับแอปพลิเคชัน AI ซึ่งสร้างปริมาณทราฟฟิกหน่วยความจำมากกว่าภาระงานประเภทอื่น โดยทั่วไปแล้ว โมดูล HBM จะถูกนำไปวางไว้ข้าง ๆ วงจรตรรกะของชิปประมวลผลกราฟิก (GPU) ทันทีเพื่อเร่งความเร็วในการไหลของข้อมูลให้ดียิ่งขึ้น
SEMI ระบุในจดหมายว่า อุตสาหกรรมชิปคาดการณ์ว่าจะสามารถขยายกำลังการผลิตหน่วยความจำได้ในอัตรา 19% ต่อปีในอนาคต แต่อย่างไรก็ตาม คาดว่าอุปสงค์ก็จะยังคงแซงหน้าอุปทานที่จัดหาได้ในอนาคตอันใกล้
Micron วางแผนที่จะลงทุนมูลค่า 2 แสนล้านดอลลาร์สหรัฐในโรงงานแห่งใหม่สูงสุดถึง 6 แห่งในสหรัฐอเมริกา และบริษัทยังอยู่ในระหว่างการอัปเกรดโรงงานหน่วยความจำเดิมที่มีอยู่ในรัฐเวอร์จิเนีย ซึ่งโรงงานแห่งนี้เพิ่งเริ่มสายการผลิตชิป DRAM โดยใช้กระบวนการผลิตใหม่ล่าสุดของ Micron ซึ่งพึ่งพาเทคนิคที่เรียกว่า multi-patterning ในการแกะสลักวงจรลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน โดยเทคโนโลยีนี้อาศัยการยิงลำแสงเลเซอร์ตามลำดับที่ซับซ้อนเพื่อสร้างแพทเทิร์นรูปทรงทรานซิสเตอร์
Micron กำลังขยายกำลังการผลิตของตนเองไม่เพียงแค่ในส่วนของชิปหน่วยความจำเท่านั้น แต่ยังรวมถึงกระบวนการบรรจุภัณฑ์ชิป HBM ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่ใช้ในการเชื่อมต่อชิป DRAM หลายตัวเข้าด้วยกันเป็นโมดูล HBM เดี่ยว โดยเมื่อปีที่ผ่านมา Micron ได้เริ่มการก่อสร้างโรงงานบรรจุภัณฑ์ชิปมูลค่า 7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐในประเทศสิงคโปร์ซึ่งคาดว่าจะสามารถเริ่มต้นสายการผลิตในปริมาณมากได้ภายในสิ้นปี 2027
สำหรับทางฝั่ง SK hynix และ Samsung ต่างมีแผนที่จะเพิ่มกำลังการผลิตหน่วยความจำของตนเองขึ้นเป็นเท่าตัวในอีกห้าปีข้างหน้า ซึ่งการผลักดันนี้เป็นส่วนหนึ่งของโครงการริเริ่มด้านการผลิตชิปมูลค่า 5.84 แสนล้านดอลลาร์สหรัฐที่รัฐบาลเกาหลีใต้ได้เปิดตัวไปในสัปดาห์นี้ โดยโครงการดังกล่าวจะส่งผลให้ SK hynix และ Samsung ร่วมกันก่อสร้างโรงงานแห่งใหม่เพิ่มขึ้นอีก 4 แห่ง
ที่มา: https://siliconangle.com/2026/07/03/chipmakers-urge-white-house-avoid-broad-memory-market-interventions/
